تحقیق نحوه عملکرد ادوات ذخيره کننده اطلاعات ديجيتالي
توضیحات:
پایان نامه کارشناسی رشته فیزیک گرایش حالت جامد، با موضوع نحوه عملکرد ادوات ذخيره کننده اطلاعات ديجيتالي، در قالب فایل word و در حجم 136 صفحه.
بخشی از متن:
مکان مهندسي در مقياس مولکولي براي اولين بار توسط ريچارد فاينمن (R.Feynnman)، برنده جايزه نوبل فيزيک ، مطرح شد. فانيمن طي يک سخنراني در انستيتو تکنولوژي کاليفرنيا در سال 1959 اشاره کرد که اصول و مباني فيزيک امکان ساخت اتم به اتم چيزها را رد نمي کند. وي اظهار داشت که ميتوان با استفاده از ماشينهاي کوچک ماشينهايي به مراتب کوچک تر ساخت و سپس اين کاهش ابعاد را تا سطح خود اتم ادامه داد. همين عبارتهاي افسانه وارد فاينمن من راهگشاي يکي از جذاب ترين زمينههاي نانو تکنولوژي يعني ساخت روباتهايي در مقياس نانو شد. در واقع تصور در اختيار داشتن لشکري از نانو ماشينهايي در ابعاد ميکروب که هر کدام تحت فرمان يک پردازنده مرکزي هستند ، هر دانشمندي را به وجود ميآورد. در روياي دانشمنداني مثل جي استورسهال (J.Storrs Hall) و اريک در کسلر (E.Drexler) اين روباتها يا ماشينهاي مونتاچکن کوچک تحت فرمان پردازنده مرکزي به هر شکل دلخواهي در ميآيند.
فهرست مطالب:
عنوان
چکيده
مقدمه
فصل اول ) نانوتکنولوژي :
1-1- آغاز نانوتکنولوژي
1-2- نانوتکنولوژي از ديدگاه جامعه شناختي
1-3- نانوتکنولوژي و ميکرو الکترونيک
1-4- فنآوري نانو و فيزيک الکترونيک
فصل دوم ) الکترونيک مغناطيسي
2-1- پيش گفتار
2-2- انتقال وابسته به اسپين
2-3- اصول اوليه
2-4- ثبت مغناطيسي
2-5- حافظههاي غير فرار
2-6- کاربردهاي آتي
فصل سوم ) مقاومت مغناطيسي و الکترونيک اسپيني
3-1- پيش گفتار
3-2- مقدمه
3-3- مقاومت مغناطيسي عظيم (GMR)
3-4- معکوس مغناطيسي سازي با تزريق اسپيني
3-5- مقاومت مغناطيسي تونل زني (TMR)
فصل چهارم ) حافظه دسترسي اتفاقي (RAM):
4-1- مباني اصول اوليه
4-2- مرور کلي
4-3- پيشرفتهاي اخير
4-4- جداره حافظه
4-5- حافظه دسترسي اتفاقي Shodow
4-6- بسته بندي DRAM
فصل پنجم ) حافظه با دسترسي اتفاقي مغناطيسي (MRAM):
5-1- مشخصات کلي
5-2- مقايسه با ساير سيستمها
5-2: الف) چگالي اطلاعات
5-2: ب) مصرف برق
5-2: ج) سرعت
5-3- کليات
5-4- تاريخ ساخت حافظهها
5-5- کاربردها
فصل ششم ) حافظه فقط خواندني (ROM):
6-1- تاريخچه
6-2- کاربرد ROM براي ذخيره سازي برنامه
6-3- حافظه ROM براي ذخيره سازي دادهها
6-4- ساير تکنولوژيها
6-5- مثالهاي تاريخي
6-6- سرعت حافظههاي ROM
6-6: الف) سرعت خواندن
6-6: ب) سرعت نوشتن
6-7- استقامت و حفظ اطلاعات
6-8- تصاوير ROM
فصل هفتم ) ضبط کردن مغناطيسي :
7-1- تاريخچه و سابقه ضبط کردن مغناطيسي
فصل هشتم ) مواد براي واسطههاي ضبط مغناطيسي :
8-1- اکسيد فريک گاما
8-2- دي اکسد کروم
8-3 اکسيد فزيک گاما تعديل شده به واسطه سطح کبالت
فصل نهم ) ديسکهاي مغناطيسي :
9-1- سازماندهي ديسکها
9-2- برآورد ظرفيتها و فضاي مورد نياز
9-3- تنگناي ديسک
9-4- فري مغناطيس
فصل دهم ) نوارهاي مغناطيسي :
10-1- کاربرد نوار مغناطيسي
10-2- مقايسه ديسک و نوار مغناطيسي
فصل يازدهم) فلاپي ديسک :
11-1- مباني فلاپي درايو
11-2- اجزاي يک فلاپي ديسک درايو
11-2: الف ) ديسک
11-2: ب) درايو
11-3 نوشتن اطلاعات بر روي يک فلاپي ديسک
فصل دوازدهم )هارد ديسک چگونه کار ميکند :
12-1- اساس هارد ديسک
12-2- نوار کاست در برابرهارد ديسک
12-3- ظرفيت و توان اجرايي
12-4- ذخيره اطلاعات
فصل سيزدهم ) فرآيند ضبط کردن و کاربردهاي ضبط مغناطيسي :
13-1 هدفهاي ضبط
13-2- کارآيي هد نوشتن
13-3- فرآيند هد نوشتن
13-4- فرآيند خواندن
نتيجه گيري و پيشنهادات
پيوست الف )
منابع و مآخذ